Толщина алмазного слоя: h (Dia) 0,3 мм

Шероховатость: Ra 1 мкм

Толщина кремниевой подложки: h (Si) 0,6 мм

Диаметр: d 76 мм

Алмазные пластины используются в качестве теплоотводов в мощных полупроводниковых приборах

Характеристики

/ 07

рост характеристик относительно текущих пиковых значений аппаратуры для спутниковой, наземной связи и радиолокации

<10%

Оптоэлектроника, лазерные диоды и светодиодные матрицы

Светотехника

Инверторы, блоки питания для оборудования и электромобилей, серверов

Силовая электроника

Радио-модули 5G, радары, навигационные системы, спутниковая, наземная связь

СВЧ электроника

Преимущества

Области применения

Поликристаллическая пластина на кремнии

d 76 мм
h (Si) 0,6 мм
h (Dia) 0,3 мм
Ra 1 мкм